硅晶圓作為半導體的基本材料，在保管存放過程中對環(huán)境的要求有著極為嚴格的要求。

硅晶圓存放環(huán)境條件一般來說有以下幾點要求：

一.濕度

    硅晶圓襯底是一種對濕度極其敏感的材料，過高的濕度將會導致晶圓表面光潔度和氧化層品質(zhì)，而過低的

    濕度則極其容易產(chǎn)生靜電放電，從而導致硅晶圓損壞。

    一般來說硅晶圓需要存放在環(huán)境濕度穩(wěn)定在30%RH~50%RH的環(huán)境中。

二.溫度

    對于硅晶圓來說，溫度一般不存在硬性條件要求，但也不宜存放在溫度過于極端的環(huán)境。

    一般來說20~24℃的室溫存放即可。

三.光照

    硅晶圓在存放過程中應(yīng)采用間接光照的形式進行，需要避免直接暴露在陽光和熒光等下。

四.防靜電

    硅晶圓極易因靜電放電而損壞，在存放硅晶圓過程中一般會采取一定的防靜電手段。

五.空氣環(huán)境

    硅晶圓加工屬于超高精度的精密加工，因而在存放過程中需要保障存放環(huán)境的空氣潔凈度，以減小

    后續(xù)生產(chǎn)過程中的清洗難度。